本发明公开了一种半导体器件检测方法、半导体器件及三维存储器。半导体器件包括存储阵列区和非存储阵列区，存储阵列区包括基底和多个沟道孔，沟道孔贯穿至基底；非存储阵列区内设置有测试块，测试块包括在纵向上与基底相同的测试基底以及贯穿至测试基底的测试孔，测试基底包括纵向间隔设置的多个测试半导体层，各测试半导体层的体积不同；测试孔的侧壁上具有测试导电层，测试导电层与测试孔的底部所穿过或落入的测试半导体层导通；所述方法包括：向半导体器件施加电场，以检测测试孔的电压衬度；根据电压衬度，判断沟道孔的延伸深度是否异常。本发明实施例能够避免采用破坏性检测手段对沟道孔的延伸深度进行检测，且提高检测效率。