半导体器件和制造半导体器件的方法、存储器器件
实质审查的生效
摘要
半导体器件包括一对有源器件、复合自旋霍尔电极和磁隧道结。复合自旋霍尔电极电连接至一对有源器件。磁隧道结设置在相对于该一对有源器件的复合自旋霍尔电极的相对侧上。自旋霍尔电极包括一对重金属层以及设置在该一对重金属层之间的间隔件层。该一对重金属层由亚稳态的重金属构成。间隔件层包括与该一对重金属层不同的第一材料。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、存储器器件。
基本信息
专利标题 :
半导体器件和制造半导体器件的方法、存储器器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114447214A
申请号 :
CN202210031492.5
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李乾铭林世杰黄彦霖宋明远李东颖
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹
代理机构 :
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 :
章社杲
优先权 :
CN202210031492.5
主分类号 :
H01L43/06
IPC分类号 :
H01L43/06 H01L43/08 H01L43/04 H01L43/14 H01L27/22
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/06
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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