一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。