借助少子寿命表征硅片吸除金属杂质效率的装置和方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种借助于少子寿命表征硅片吸除金属杂质效率的装置和方法，该装置包括：清洗模块，所述清洗模块经配置为准备待测硅片并清洗所述硅片；少子寿命测量模块，所述少子寿命测量模块经配置为测量所述硅片的少子寿命；热处理模块，所述热处理模块经配置为针对所述硅片进行热处理；计算器模块，所述计算器模块经配置为记录并计算所述少子寿命测量模块的测量值，并根据所述测量值间接计算所述硅片的捕获金属杂质效率。
基本信息
专利标题 ：
借助少子寿命表征硅片吸除金属杂质效率的装置和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114509450A
申请号 ：
CN202111633459.1
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金铉洙
申请人 ：
西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
代理机构 ：
西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
侯丽丽
优先权 ：
CN202111633459.1
主分类号 ：
G01N22/00
IPC分类号 ：
G01N22/00 G01R21/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N22/00
利用微波或者无线电波，即具有一毫米或更大的波长的电磁波测试或分析材料
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 22/00
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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