半导体材料的高温霍尔测量方法，在抽真空条件下进行加温测量半导体材料的参数。测量装置，包括磁场装置、测量控制电路、样品台、真空装置、加热电阻、样品台构成，设有密封容器，将样品台置于密封容器内、密封容器连接抽真空装置，在密封容器内的样品台设有加热电阻并与容器外的温控装置连接，且密封容器置于外加电磁铁的磁场内；样品台上设有电极探针，密封容器盖上设有用于通过电极探针向样品施加电流并测量从样品输出信号的电极引出孔，本发明装置可以在77K到773K温度范围内直接测量出或计算得到半导体样品的一些重要参数。