大锥度石英锥单晶炉
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摘要

一种大锥度石英锥单晶炉,包括炉体、隔离阀、上炉筒、提升机构、提拉头、二次加料装置,所述二次加料装置包括钼杆、石英管、石英锥、支撑环,所述钼杆的下端穿过石英管,所述钼杆的下端与石英锥的锥端连接,所述支撑环的内径等于不等径石英管的外径,所述支撑环套装在不等径石英管的外环壁上,所述支撑环卡装在上炉筒内侧的底部,所述石英锥相对锥端的一端直径不小于石英管的内径,所述石英锥为实心体,所述石英锥的锥度值为2tan30°,本实用新型中,石英锥内部采用实心结构,更加厚实,改变了石英锥的角度,使得硅料滑落碰到石英锥时对石英锥造成的损伤力减小,并且在加料的过程中,硅料下落到坩埚内更加顺畅,耗时更少。

基本信息
专利标题 :
大锥度石英锥单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020949519.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-29
授权号 :
CN212741579U
授权日 :
2021-03-19
发明人 :
芮阳
申请人 :
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
张淼
优先权 :
CN202020949519.5
主分类号 :
C30B15/04
IPC分类号 :
C30B15/04  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料,例如用于n-p结的
法律状态
2021-03-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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