一种带有隔热圈的单晶生长用石英管
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摘要
本实用新型公开了一种带有隔热圈的单晶生长用石英管，包括隔热圈、石英管本体、石英帽、抽气接口和O型圈；隔热圈包括支撑圈和防护筒；防护筒设在支撑圈一侧，支撑圈上内环到防护筒内侧之间留有间隔，支撑圈和防护筒均由陶瓷纤维材料制备；石英管一端为敞口结构，石英帽位于石英管敞口一端内侧；隔热圈的支撑圈活动套在石英管敞口一端外侧，防护筒指向石英管敞口一端；抽气接口包括连接盖和设在连接盖上的抽气管，连接盖活动盖设在石英管敞口一端端部，O型圈密封在连接盖的侧壁与石英管侧壁之间，连接盖的侧壁位于隔热圈的防护筒与石英管侧壁之间。上述装置有效避免了O型密封圈的烧损；提高了安全性；隔热圈可以反复使用，节省了成本。
基本信息
专利标题 ：
一种带有隔热圈的单晶生长用石英管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122949091.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
CN216274455U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
乔印彬柯尊斌王卿伟
申请人 ：
中锗科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号
代理机构 ：
南京中律知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李建芳
优先权 ：
CN202122949091.1
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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