CCZ连续拉晶坩埚
授权
摘要
本实用新型提供了一种CCZ连续拉晶坩埚，属于半导体材质制备技术领域，包括外坩埚和坩埚内环，外坩埚用于容纳待熔融的硅料；坩埚内环设置于外坩埚内，下端与外坩埚内壁相抵，其内部形成用于晶体生长的生长空间，其外部与外坩埚之间形成用于容纳硅料的加料空间，坩埚内环上设有用于熔融的硅料进入生长空间的通料孔。本实用新型提供的CCZ连续拉晶坩埚，能够延长坩埚使用寿命，提高单晶硅质量。
基本信息
专利标题 ：
CCZ连续拉晶坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920546613.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-18
授权号 ：
CN210104124U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
李德建王会敏何京辉王东颜超路鹏刘钦李增卫何志国陈阳
申请人 ：
邢台晶龙电子材料有限公司;GTAT知识产权有限责任公司
申请人地址 ：
河北省邢台市开发区南园区兴达大街
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
李坤
优先权 ：
CN201920546613.3
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B29/06 C04B41/85
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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