一种拉晶设备
授权
摘要
本实用新型实施例提供了一种拉晶设备，所述设备包括：单晶炉和加料装置；加料装置，用于储存硅料并将所述硅料运送至单晶炉内；单晶炉内设有第一热场、导料管和第二热场；第二热场内设有第二坩埚，第二坩埚与加料装置的一端相对，第二热场用于将加料装置运送至第二坩埚内的硅料熔化为硅液；第一热场内设有第一坩埚；导料管的一端连接第二坩埚，另一端伸入第一坩埚内，导料管用于将硅液导送至第一坩埚内。本实用新型实施例的拉晶设备，可以有效避免了向第一坩埚内直接添加块状或颗粒状硅料导致的溅液问题，并且还能减缓第一坩埚的熔料时间，提高第一坩埚的使用寿命以及减少杂质混入晶棒，提升晶棒的品质。
基本信息
专利标题 ：
一种拉晶设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020279398.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-09
授权号 ：
CN212128338U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
李侨周锐张龙龙邓浩付泽华徐战军张永辉张伟建王建波
申请人 ：
隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区航天中路388号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
莎日娜
优先权 ：
CN202020279398.8
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B15/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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