一种拉晶状态监测装置及拉晶设备
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种拉晶状态监测装置及拉晶设备,属于半导体领域,装置包括镜头、相机、相机转接板、调整连接组件、主支柱和支柱座;相机通过相机转接板与调整连接组件连接,调整连接组件通过主支柱和支柱座与机架或晶炉炉体连接,镜头和相机通过调整连接组件正对晶炉的视窗设置,以对炉内的拉晶状态图像采集实现状态监测。拉晶设备包括炉体、旋转坩埚、拉晶单元、状态监测单元、加料器和控制器,控制器用于坩埚转速、拉晶绳运动、拉晶状态图像接收处理和加料需求的控制;通过本申请,可以对拉晶炉内硅料熔化及拉晶状态实时监测,有效控制拉晶质量,结构简单,便于在半导体制造领域推广应用。
基本信息
专利标题 :
一种拉晶状态监测装置及拉晶设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481303A
申请号 :
CN202210033299.5
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
董志文何开振杨君庄再城胡方明纪步佳杨国炜孙进曹葵康薛峰
申请人 :
苏州天准科技股份有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区科技城浔阳江路70号
代理机构 :
北京千壹知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王玉玲
优先权 :
CN202210033299.5
主分类号 :
C30B15/26
IPC分类号 :
C30B15/26 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/26
使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/26
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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