晶棒断线监测方法、存储介质、终端和拉晶设备
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种晶棒断线监测方法、存储介质、终端和拉晶设备，属于半导体量检测领域，方法包括图像采集并判定当前拉晶阶段、定位邻接面处光圈的目标区域R、提取目标轮廓、计算轮廓上取点并计算角度差、角度差比较，判定是否断线；本发明的方法通过轮廓线上的角度差与阈值对比判定晶棒是否断线，基于图像处理快速精确获取判定结果，为稳定拉晶状态提供了辅助判定依据，以此提高了拉晶质量，便于在半导体制造领域推广应用。
基本信息
专利标题 ：
晶棒断线监测方法、存储介质、终端和拉晶设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114369868A
申请号 ：
CN202210033282.X
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙靖杨君董志文何开振庄再城胡方明纪步佳杨国炜马旭曹葵康薛峰
申请人 ：
苏州天准科技股份有限公司;苏州天准软件有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区科技城浔阳江路70号
代理机构 ：
北京千壹知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王玉玲
优先权 ：
CN202210033282.X
主分类号 ：
C30B15/26
IPC分类号 ：
C30B15/26 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制
C30B15/26
使用电视摄像机的；使用光检测器或X射线检测器的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/26
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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