一种拉晶晃动监测方法、存储介质、终端和拉晶设备
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种拉晶晃动监测方法、存储介质、终端和拉晶设备,属于半导体领域,方法包括采集图像并判定当前拉晶阶段、根据拉晶阶段定位区域R、提取目标轮廓、直线拟、计算晃动值S;拉晶设备包括炉体、旋转坩埚、拉晶单元、状态监测单元、加料器和控制器,拉晶单元根据晃动值S调整拉晶升降速度和转速,以保证拉晶稳定。本发明基于图像处理和直线拟合技术实时计算拉晶的晃动值,从而通过晃动值监测晶棒的状态,以此保证拉晶状态的稳定,并提高拉晶质量,便于在半导体制造领域推广应用。

基本信息
专利标题 :
一种拉晶晃动监测方法、存储介质、终端和拉晶设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114351247A
申请号 :
CN202210033285.3
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2022-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨君董志文何开振庄再城胡方明纪步佳杨国炜马旭曹葵康薛峰
申请人 :
苏州天准科技股份有限公司;苏州天准软件有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区科技城浔阳江路70号
代理机构 :
北京千壹知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王玉玲
优先权 :
CN202210033285.3
主分类号 :
C30B15/26
IPC分类号 :
C30B15/26  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/26
使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/26
申请日 : 20220112
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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