本申请公开了一种用于PVT法制备单晶的坩埚组件和长晶炉，属于半导体材料制备领域。该用于PVT法制备单晶的坩埚组件，其包括坩埚和设置在坩埚内的籽晶柱；所述坩埚的侧壁包括夹层，所述夹层包括内侧壁和外侧壁，所述内侧壁比所述外侧壁的孔隙率高，所述夹层形成原料腔；所述籽晶柱与所述坩埚的中轴线的延伸方向大致相同，所述籽晶柱与所述内侧壁的内表面之间形成长晶腔。该坩埚组件和长晶炉可以高效、快速的制备极低缺陷密度的碳化硅单晶及其衬底，从而为高质量、低成本碳化硅衬底的大规模商用化奠定技术基础。