一种用于PVT法制备单晶的坩埚组件和长晶炉
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本申请公开了一种用于PVT法制备单晶的坩埚组件和长晶炉,属于半导体材料制备领域。该用于PVT法制备单晶的坩埚组件,其包括坩埚和设置在坩埚内的籽晶柱;所述坩埚的侧壁包括夹层,所述夹层包括内侧壁和外侧壁,所述内侧壁比所述外侧壁的孔隙率高,所述夹层形成原料腔;所述籽晶柱与所述坩埚的中轴线的延伸方向大致相同,所述籽晶柱与所述内侧壁的内表面之间形成长晶腔。该坩埚组件和长晶炉可以高效、快速的制备极低缺陷密度的碳化硅单晶及其衬底,从而为高质量、低成本碳化硅衬底的大规模商用化奠定技术基础。
基本信息
专利标题 :
一种用于PVT法制备单晶的坩埚组件和长晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922370077.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-24
授权号 :
CN211497863U
授权日 :
2020-09-15
发明人 :
高超宁秀秀李霞刘家朋宗艳民
申请人 :
山东天岳先进材料科技有限公司
申请人地址 :
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 :
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王宽
优先权 :
CN201922370077.9
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2020-12-25 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 23/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 山东天岳先进材料科技有限公司
变更后 : 山东天岳先进科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 250100 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
变更后 : 250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 山东天岳先进材料科技有限公司
变更后 : 山东天岳先进科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 250100 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
变更后 : 250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
2020-09-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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