一种多晶用石英坩埚
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摘要

本实用新型公开了一种多晶用石英坩埚,包括坩埚本体,坩埚本体顶部设置有坩埚口,坩埚本体的侧端上连接有管嘴,管嘴与坩埚本体的内腔连通,且管嘴远离坩埚本体的一端的开口的位置不低于坩埚口,以避免半导体多晶液体从管嘴溢出;在半导体多晶合成过程中,与坩埚本体内腔连通的管嘴有助于半导体溶液内部的气体排出,同时也使液体加快凝固,消除多晶体表面的气孔和坑洼,提高多晶体表面质量。

基本信息
专利标题 :
一种多晶用石英坩埚
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920979439.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-26
授权号 :
CN210420259U
授权日 :
2020-04-28
发明人 :
王金灵白平平周铁军刘留
申请人 :
广东先导先进材料股份有限公司
申请人地址 :
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
李宁
优先权 :
CN201920979439.1
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-04-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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