为克服改良西门子法硅棒通电加热存在温差，多晶硅生长厚度受限的问题，本发明提供了一种高纯多晶硅生产装置，包括底盘、至少一个硅芯、第一柱面电极板、第二柱面电极板、至少一个等离子加热器和驱动组件，所述底盘设置在所述第一柱面电极板和所述第二柱面电极板之间，所述底盘上设置有至少一个卡槽，所述硅芯设置于所述卡槽内；所述等离子加热器用于喷射携带硅源气体的高温等离子气体，且所述等离子加热器设置于所述驱动组件上，所述驱动组件用于驱动所述等离子加热器以所述底盘的中心轴为轴线转动。同时，本发明还提供了一种多晶硅生产方法，本发明提供的多晶硅生产方法和装置克服了硅棒通电加热存在温差的劣势，摆脱了多晶硅生长厚度的限制。