一种制备高纯多晶硅的还原设备

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种制备高纯多晶硅还原设备，包括：SiCl₄蒸发器，还原炉，尾气处理器。采用N₂作为载气将SiCl₄蒸发器中的SiCl₄带入还原炉中，还原炉分为炉尾、炉中、炉口三段，集金属蒸汽发生装置、还原反应装置、尾气回收装置于一身，表面镀有SiN保护膜。利用本实用新型使高纯多晶硅的制备成本大幅降低、减少各种不必要的浪费，提高生产效率。解决了现有技术存在的耗能高、工艺复杂等问题，实现了还原纯度为6N级以上多晶硅产品效果。

基本信息

专利标题：

一种制备高纯多晶硅的还原设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820153749.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-10-07

授权号：

CN201381229Y

授权日：

2010-01-13

发明人：

柳翠敖毅伟

申请人：

上海太阳能科技有限公司

申请人地址：

201108上海市闵行区莘庄工业区申南路555号

代理机构：

上海航天局专利中心

代理人：

金家山

优先权：

CN200820153749.X

主分类号：

C01B33/027

IPC分类号：

C01B33/027