多晶硅硅芯制备装置

授权

摘要

本实用新型公开了一种多晶硅硅芯制备装置，其包括硅芯炉和区熔加热装置，区熔加热装置包括加热组件和调节组件，加热组件包括加热线圈和加热片，加热线圈和加热片设置在硅芯炉的炉体内，所述加热片与所述加热线圈相匹配并能够对所述硅芯母料进行加热，进而在所述硅芯母料表面形成区熔；所述调节组件设置在所述硅芯炉的炉体外部，所述调节组件与所述加热片传动连接，并能够调节所述加热片于所述炉体内的空间位置。本实用新型提供的多晶硅硅芯制备装置，可以调节加热片的空间位置，进而将硅芯母料的区熔温度稳定在一定范围之内，避免了由于温度、电流的波动问题造成故障停炉、硅芯电阻率低、硅芯碳含量高、硅芯母料炸料等问题。

基本信息

专利标题：

多晶硅硅芯制备装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922234979.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-13

授权号：

CN211393876U

授权日：

2020-09-01

发明人：

王海礼侯伟才张福海丁小海刘义科宗冰蔡延国

申请人：

亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司

申请人地址：

青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

赵世发

优先权：

CN201922234979.X

主分类号：

C01B33/035

IPC分类号：

C01B33/035