一种多晶硅存储元件及其制备方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明涉及熔丝、抗熔丝和使用半导体存储器的存储器阵列的存储元件及其制备方法。本发明公开的一种多晶硅存储元件及其制备方法，包括：多晶硅PN结，在击穿前后它的状态都能够永久保存。其方法包括：1)在半导体衬底上沉积一层多晶硅；2)用掩模覆盖一半多晶硅而另一半多晶硅暴露于杂质中；3)将多晶硅PN结暴露给反向偏压来编程PN结以具有类似电阻器的特性。本发明公开了一种运用多晶硅PN结做存储元件的方法。在初始状态下，该结表现二极管的特性，暴露于反向击穿电压之后，该结表现出电阻特性，并且，其击穿是永久的。因此，可以通过检测该结的特性测定其所处的状态。

基本信息

专利标题：

一种多晶硅存储元件及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979900A

申请号：

CN200510126405.0

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

许如柏陈文生

申请人：

辉芒微电子（深圳）有限公司

申请人地址：

518067广东省深圳市南山区蛇口沿山路6号佳利泰大厦8楼A室

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

向华

优先权：

CN200510126405.0

主分类号：

H01L29/861

IPC分类号：

H01L29/861 H01L21/329