多晶硅电阻结构及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种多晶硅电阻结构及其制备方法，该多晶硅电阻结构包括：P型半导体基底；N型阱区，形成于P型半导体基底上；隔离层，形成于N型阱区上；多晶硅层，形成于隔离层上；金属互连结构，分别与多晶硅层和N型阱区连接以使多晶硅层和N型阱区连接。通过在P型半导体基底上形成N型阱区，P型半导体基底和N型阱区形成二极管结构，通过金属互连结构将多晶硅层与N型阱区连接，对多晶硅层进行保护，且由于二极管结构形成于多晶硅层的正下方，在增加静电保护结构的同时，不会增加多晶硅电阻结构所占面积。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅电阻结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111584462A
申请号 ：
CN201910119045.3
公开（公告）日 ：
2020-08-25
申请日 ：
2019-02-18
授权号 ：
CN111584462B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
汪广羊
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
邓云鹏
优先权 ：
CN201910119045.3
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-09-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20190218
申请日 : 20190218
2020-08-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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