金属薄膜成形装置
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摘要
一种金属薄膜成形装置，用以在一具备至少一通孔的基板上成形金属薄膜，其将基板固定于一密闭腔室中，使基板将密闭腔室分隔为二部分。而密闭腔室连接有一压力产生装置及一压力控制装置，分别对应基板的二侧，其中压力产生装置用以导入一镀液，使其平行于基板表面流动，而压力控制装置用以导出镀液，并控制基板二侧的压力差，借以镀液可由压力产生装置带动进入密闭腔室中，造成平行于基板的表面流动以及通过通孔的镀液流动，因此压力控制装置的调节，于基板表面及通孔内壁成形的金属薄膜厚度，可以分别加以控制。
基本信息
专利标题 ：
金属薄膜成形装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1995454A
申请号 ：
CN200510137674.7
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张杰凯郑兆凯杨明桓王仲伟陈富港曾子章李长明张志敏余丞博
申请人 ：
财团法人工业技术研究院;欣兴电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200510137674.7
主分类号 ：
C23C18/16
IPC分类号 ：
C23C18/16 H05K3/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆；接触镀
C23C18/16
还原法或置换法，例如无电流镀
法律状态
2009-04-29 ：
授权
2007-09-05 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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