一种高电阻率的复合衬底及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种高电阻率的复合衬底及其制备方法，包括对硅衬底表面进行等离子体处理，将等离子体处理后的硅衬底置于含有水分的环境中，形成表面吸附有水分子的硅衬底层和在吸附有水分子的硅衬底表面上制备多晶硅层，在硅衬底层与多晶硅层之间生成介质层，获得复合衬底。本申请通过采用等离子体处理与制备多晶硅相结合的方式在硅衬底与多晶硅界面制备氧化硅薄膜介质层，抑制在后续的高温制备工艺中多晶硅层晶粒重构的程度，保持多晶硅层的稳定和载流子陷阱的富集，使多晶硅层保持较高的载流子捕获能力。
基本信息
专利标题 ：
一种高电阻率的复合衬底及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373711A
申请号 ：
CN202111627242.X
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨超胡文李真宇孔霞刘亚明
申请人 ：
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN202111627242.X
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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