一种具有捕获结构的复合衬底及其制备方法及电子元器件
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种具有捕获结构的复合衬底及其制备方法及电子元器件，本申请提供的技术方案属于半导体器件领域，所述复合衬底包括依次设置的衬底基板、缺陷层、绝缘层和有源层，在所述衬底基板与所述缺陷层之间具有包括负电荷活性中心的捕获结构，所述捕获结构中的负电荷活动中心能够吸附缺陷层中的金属阳离子，从而抑制PSC。
基本信息
专利标题 ：
一种具有捕获结构的复合衬底及其制备方法及电子元器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497197A
申请号 ：
CN202210392175.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李真宇杨超胡文孔霞刘亚明韩智勇
申请人 ：
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN202210392175.6
主分类号 ：
H01L29/36
IPC分类号 ：
H01L29/36 H01L21/46
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/36
申请日 : 20220415
申请日 : 20220415
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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