一种声表面波器件衬底的复合结构及制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种声表面波器件衬底的复合结构及制备方法，所述复合结构自下而上依次包括单晶硅衬底层、多晶硅层、吸收层、绝缘层和压电单晶薄膜层，所述吸收层用于吸收光刻时的入射光线，本申请通过在所述多晶硅层上制备吸收层，可以有效吸收光刻的光线，减弱光刻时的散射和反射，提高光刻的分辨率，抑制表面寄生电导效应，提高制备器件的性能以及工作稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种声表面波器件衬底的复合结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114421911A
申请号 ：
CN202111509138.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
欧欣柯新建黄凯
申请人 ：
上海新硅聚合半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
苗芬芬
优先权 ：
CN202111509138.0
主分类号 ：
H03H3/08
IPC分类号 ：
H03H3/08 H03H9/02
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/08
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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