激光脉冲增强型分子束外延系统的PLEES制备系统
实质审查的生效
摘要
本发明公开了激光脉冲增强型分子束外延系统的PLEES制备系统，涉及纳米级薄膜技术领域；它的制备方法为：纯度为99.95%的Bi2Te3靶材和纯度为99.99%的Te靶材按1:1进行拼接形成混合靶材，并被置于外延室内；利用准分子激光器产生的激光束将混合靶材打散形成等离子束，分散的Bi原子和Te原子在另一侧衬底上沉积逐渐生长出纳米级薄膜；本发明的混合靶材能够极好地解决薄膜在生长过程中由于Te原子补充不足而出现的原子空位这个问题；保证了每一层外延膜的元素比例正确和Bi2Te3晶体的稳定生长；简化了操作流程，降低了生产成本，提高了薄膜生长速度，同时又能保证薄膜的生长质量。
基本信息
专利标题 ：
激光脉冲增强型分子束外延系统的PLEES制备系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114457415A
申请号 ：
CN202210090243.3
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王暄郑玥乾
申请人 ：
哈尔滨理工大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210090243.3
主分类号 ：
C30B23/02
IPC分类号 ：
C30B23/02 C30B29/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
C30B23/02
外延层生长
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/02
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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