生长激光二极管中量子阱的分子束外延系统的操作方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重迭的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述，其中m、n和p为整数。
基本信息
专利标题 ：
生长激光二极管中量子阱的分子束外延系统的操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1081027A
申请号 ：
CN93105939.9
公开（公告）日 ：
1994-01-19
申请日 ：
1993-05-21
授权号 ：
CN1034455C
授权日 ：
1997-04-02
发明人 ：
程华詹姆斯·M·德普伊特迈克尔·A·哈泽邱军
申请人 ：
明尼苏达州采矿制造公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93105939.9
主分类号 ：
H01S3/19
IPC分类号 ：
H01S3/19 H01L33/00 H01L21/20
法律状态
2008-07-23 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
1997-04-02 ：
授权
1995-08-02 ：
实质审查请求的生效
1994-01-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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