无包层单量子阱II-VI族激光二极管
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
一种无半导体包层的单量子阱II-VI族激光二极管，它包括由覆盖在n型GaAs衬底上的p型和n型光导层。CdSe/ZnSe短周期应变层超晶格单量子阱有源层位于两导向层之间。Au电极从与单量子阱有源层相反的一方覆盖在p型导向层之上。导向层的厚度使衬底和Au电极能把器件产生的光束约束在有源层和导向层之间。
基本信息
专利标题 ：
无包层单量子阱II-VI族激光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1081026A
申请号 ：
CN93105938.0
公开（公告）日 ：
1994-01-19
申请日 ：
1993-05-21
授权号 ：
CN1034454C
授权日 ：
1997-04-02
发明人 ：
程华詹姆斯·M·德普伊特迈克尔·A·哈泽邱军
申请人 ：
明尼苏达州采矿制造公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN93105938.0
主分类号 ：
H01S3/19
IPC分类号 ：
H01S3/19 H01L33/00
法律状态
2009-07-22 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
1997-04-02 ：
授权
1995-08-02 ：
实质审查请求的生效
1994-01-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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