本实用新型提供一种分子束外延生长表面监测装置，涉及半导体制造技术领域。该监测装置包括：激光光源、线偏振器、分子束外延生长室腔体、光信号探测组件、数据处理组件；线偏振器包括第一线偏振器和第二线偏振器；第一线偏振器设置在激光光源与入光口之间；第二线偏振器设置在出光口与光信号探测组件之间，并且第二线偏振器的偏振轴方向与第一线偏振器的偏振轴方向对应设置。在实现原位监测的光路上，通过在激光光源之后设置第一线偏振器以产生线偏振光，在光信号探测组件之前设置第二线偏振器以透过从出光口出射的线偏振光，经外延片表面反射的线偏振光没有损失，同时抑制了生长室内部组件发出的部分噪声光的透过，提高了光信号探测的信噪比。