一种分子束外延用蒸发坩埚
授权
摘要
本实用新型公开了一种分子束外延用蒸发坩埚，包括一端开口的中空柱状坩埚主体；坩埚主体相对的内侧壁之间的垂直距离与坩埚主体的直径之间的比例为1:3～10。本申请的分子束外延用蒸发坩埚，通过限定坩埚主体相对的内侧壁之间的垂直距离与坩埚主体的直径之间的比例关系，降低坩埚主体的升温速度，从而使坩埚主体内的温度梯度较小，使得其内材料受热均匀，从而使产生的分子束流稳定，不会影响产品的质量。另外，本申请的蒸发坩埚，分子束流在上升至小孔准直装置喷射到适当温度的单晶基片上的过程中，不会被阻挡，也就不会发生凝聚，进一步提高了分子束流的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种分子束外延用蒸发坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121368177.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-06-18
授权号 ：
CN216473577U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
卢灿忠陈旭林张孝文陶晓栋
申请人 ：
厦门稀土材料研究所
申请人地址 ：
福建省厦门市集美区兑山西珩路258号
代理机构 ：
北京元周律知识产权代理有限公司
代理人 ：
史冬梅
优先权 ：
CN202121368177.9
主分类号 ：
C30B23/02
IPC分类号 ：
C30B23/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
C30B23/02
外延层生长
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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