一种四坩埚蒸发源
授权
摘要
本实用新型公开了一种四坩埚蒸发源，包括：法兰组件、水冷组件、坩埚组件以及快门组件，法兰组件包括：真空法兰和电极法兰，水冷组件和快门组件均贯穿所述真空法兰设置，坩埚组件固定安装在水冷组件顶部；坩埚组件包括：坩埚隔板、四个坩埚台、四个坩埚台帽、四个坩埚、坩埚罩以及四个加热单元；坩埚台的外圆周加工有一环形真空空腔；每个加热单元设置在对应坩埚台的侧壁内部；坩埚隔板与所述坩埚罩围成四个独立空间，每个独立空间中容置一个坩埚台；本实用新型隔热效果好，便于控制温度，提高加热效率，在双坩埚蒸发源的基础上，增加两个蒸发源，从而提高分子束外延设备的容量和使用效率、节省成本。
基本信息
专利标题 ：
一种四坩埚蒸发源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123109582.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
CN216639707U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
刘玉翔肖文德乔璐李骥张旭彭祥麟肖佩瑶韩俊峰姚裕贵
申请人 ：
北京理工大学;北京理工大学长三角研究院（嘉兴）
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南大街5号
代理机构 ：
北京理工大学专利中心
代理人 ：
杨潇
优先权 ：
CN202123109582.1
主分类号 ：
C30B25/02
IPC分类号 ：
C30B25/02 C30B25/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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