一种电子束蒸发台坩埚组件的清理方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种电子束蒸发台坩埚组件的清理方法，属于半导体加工技术领域。操作步骤如下：(1)涂层制作：在使用坩埚上方放置档板，使用氮化硼喷剂在档板上方进行喷涂一层氮化硼，使氮化硼喷剂均匀的分布在坩埚侧壁上，喷涂完成后将档板取走；(2)坩埚使用：蒸镀金属；(3)坩埚侧壁清理。本发明在坩埚侧壁上喷涂氮化硼喷剂，使坩埚侧壁和金属层之间粘附程度较低，方便积聚大量金属层，清理去除操作方便，且氮化硼喷剂涂层能够耐受住1000摄氏度以上的高温环境，保证坩埚内蒸发源能够正常熔化同时，坩埚侧壁上的材料不会发生熔化而流入坩埚内，保证坩埚的正常蒸镀使用。
基本信息
专利标题 ：
一种电子束蒸发台坩埚组件的清理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481042A
申请号 ：
CN202011163179.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐晓强程昌辉吴向龙闫宝华王成新
申请人 ：
山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市高新区金马路9号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵龙群
优先权 ：
CN202011163179.4
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/30
申请日 : 20201027
申请日 : 20201027
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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