用于ARC材料的减小CD的蚀刻工艺

专利权的终止

摘要

一种缩小在抗反射涂层(anti－reflectivecoatinglayer)结构(19)中之特点(feature)(56，57，59)的关键尺寸(criticaldimension，CD)的方法可使用聚合剂。抗反射涂层结构可用以形成多种集成电路结构。抗反射涂层可用以形成包括多晶硅(54)及介电层(52)的栅极堆栈、导电线(84)或其它IC结构。聚合剂可包括碳、氢及氟。

基本信息

专利标题：

用于ARC材料的减小CD的蚀刻工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101151716A

申请号：

CN200680010624.5

公开（公告）日：

2008-03-26

申请日：

2006-03-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

P·L·琼斯M·S·常S·A·贝尔

申请人：

先进微装置公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

程伟

优先权：

CN200680010624.5

主分类号：

H01L21/308

IPC分类号：

H01L21/308 H01L21/311 H01L21/3213

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

H01L21/308

应用掩膜的

法律状态

2020-03-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/308
申请日 : 20060321
授权公告日 : 20100519
终止日期 : 20190321

2010-09-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
登记生效日 : 20100730
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007449477
IPC(主分类) : H01L 21/308
专利号 : ZL2006800106245
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 先进微装置公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体公司

2010-05-19 ：

授权

2008-05-21 ：

实质审查的生效

2008-03-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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