用于控制蚀刻工艺的系统及方法

授权

摘要

一种用于控制蚀刻工艺的系统包含蚀刻工具、计量工具及控制器。所述蚀刻工具可经由一组控制参数控制且可执行含有所述组控制参数的多个蚀刻配方。所述控制器可引导所述蚀刻工具对多个计量目标执行多个蚀刻配方；引导所述计量工具产生指示关于所述多个计量目标的两个或两个以上蚀刻特性的计量数据；基于所述计量数据确定所述两个或两个以上蚀刻特性与所述组控制参数之间的一或多个关系；及基于所述一或多个关系产生用以约束所述两个或两个以上蚀刻特性中的一者且将所述两个或两个以上蚀刻特性中的其余者维持于经定义界限内的特定蚀刻配方。

基本信息

专利标题：

用于控制蚀刻工艺的系统及方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107924855A

申请号：

CN201680051259.6

公开（公告）日：

2018-04-17

申请日：

2016-09-16

授权号：

CN107924855B

授权日：

2022-04-05

发明人：

F·察赫

申请人：

科磊股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

张世俊

优先权：

CN201680051259.6

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/311 H01L21/3065 H01L21/66

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-04-05 ：

授权

2018-10-09 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20160916

2018-04-17 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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