蚀刻形貌控制
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摘要
提供了一种用于蚀刻位于基片上且置于掩模下的介电层的方法。基片设置于等离子体处理室中。提供包括O2和硫成分气体的蚀刻剂气体到等离子体室，该硫成分气体包括H2S和含有至少一个碳硫键的化合物中的至少一种。等离子体从蚀刻剂气体形成。利用来自于蚀刻剂气体的等离子体，穿过光刻胶掩模，特征被蚀刻到蚀刻层中。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻形貌控制
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101185157A
申请号 ：
CN200680018829.8
公开（公告）日 ：
2008-05-21
申请日 ：
2006-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卡梅利娅·鲁苏黄志松穆昆德·斯里尼瓦桑埃里克·A·赫德森阿龙·埃普勒
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200680018829.8
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2011-02-02 ：
授权
2008-07-16 ：
实质审查的生效
2008-05-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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