MOS晶体管特征提取方法、装置、介质及电子设备
授权
摘要
本发明实施例提供了一种MOS晶体管特征提取方法、装置、介质及电子设备，涉及半导体器件测试技术领域，所述MOS晶体管的第一掺杂区通过导线与第一引出焊盘电连接，特征提取方法包括：获取所述导线的布线电阻；获取所述MOS晶体管的第一掺杂区的扩散电阻；根据所述布线电阻和所述扩散电阻获取所述MOS晶体管的第一掺杂区等效电阻系数；将所述第一掺杂区等效电阻系数加入预先建立的MOS晶体管模型，以进行仿真计算。本发明的技术方案根据布线电阻和扩散电阻获取第一掺杂区等效电阻系数，并将该第一掺杂区等效电阻系数加入MOS晶体管模型，以模拟MOS晶体管的寄生电阻，从而可以得到更加精确的仿真结果。
基本信息
专利标题 ：
MOS晶体管特征提取方法、装置、介质及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112861297A
申请号 ：
CN201911100744.X
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2019-11-12
授权号 ：
CN112861297B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
杨俊
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201911100744.X
主分类号 ：
G06F30/20
IPC分类号 ：
G06F30/20 G01R31/26 G06F111/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20191112
申请日 : 20191112
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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