带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个MOS晶体管的半导体存储设备

带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个MOS晶体管的半导体...

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种半导体存储设备，包括存储单元阵列(10)、字线(WL)、和行解码器(20)。存储单元阵列(10)包括以矩阵排列的存储单元(MC)。存储单元(MC)包括具有电荷累积层(210)和控制栅极(230)的第一MOS晶体管(MT)和第二MOS晶体管(ST)。字线(WL)连接第一MOS晶体管(MT)的控制栅极(230)。行解码器(20)包括第一地址解码电路(141)、第二地址解码电路(142)和传输门(150)。第一地址解码电路(141)解码n位行地址信号中的m位(m和n是满足表达式m＜n的自然数)。第二地址解码电路(142)解码行地址信号中的(n－m)位。传输门(150)根据第二地址解码电路(142)的输出将第一地址解码电路的(141)的输出提供到字线(WL)。

基本信息

专利标题：

带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个MOS晶体管的半导体存储设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101023492A

申请号：

CN200580031611.1

公开（公告）日：

2007-08-22

申请日：

2005-09-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

神田和重梅泽明柿添和彦榛叶芳秋平田义治

申请人：

株式会社东芝

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

马浩

优先权：

CN200580031611.1

主分类号：

G11C8/08

IPC分类号：

G11C8/08 G11C8/10 G11C16/08 G11C16/12