基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构及其制造方法

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摘要

本发明公开了基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构及其制造方法，新型熵源结构包括单晶硅衬底、设置于单晶硅衬底上侧的有源区及设置于有源区上侧的多晶硅，多晶硅覆盖有源区的部分形成沟道区，多晶硅由沟道区向外侧延伸的部分形成栅极外悬量；多晶硅两端的外悬量长度不相等,多晶硅外悬量较短的一端处的沟道区由于离子横向扩散而部分侵入形成漏电通道，且形成的漏电通道等效为并联在晶体管的源极和漏极之间的寄生电阻。上述新型熵源结构，多晶硅的外悬量的差异形成包含寄生电阻的熵源结构，寄生电阻的阻值呈随机分布，在电源电压及温度出现波动情况下熵源结构的电流具有较宽的分布及良好的分布均衡性，大幅提高了熵源结构的可靠性和随机性。

基本信息

专利标题：

基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114068689A

申请号：

CN202210031829.2

公开（公告）日：

2022-02-18

申请日：

2022-01-12

授权号：

CN114068689B

授权日：

2022-04-01

发明人：

赵晓锦陈俊锴钟剑麟许婷婷

申请人：

深圳大学

申请人地址：

广东省深圳市南山区南海大道3688号

代理机构：

深圳市精英专利事务所

代理人：

涂年影

优先权：

CN202210031829.2

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L23/00 H01L29/78 H01L21/28 H01L21/336