本申请公开了NORD flash提高栅极耦合比的制造方法，包括：在半导体衬底上依次沉积栅氧层、浮栅多晶硅层，刻蚀去除部分浮栅多晶硅层，露出栅氧层；依次沉积介质层、控制栅多晶硅层以及第一氮化硅层；刻蚀去除cell区域的第一氮化硅层，在cell区域内形成字线；在cell区域以及剩余第一氮化硅层上沉积第二氮化硅层；去除第二氮化硅层和剩余的第一氮化硅层，对外露的控制栅多晶硅层及其下的介质层完成刻蚀。控制栅极包裹了原本外露的浮置栅极的一侧外壁，增加了浮置栅极表面与控制栅极相重叠的面积，进一步增加了器件的栅极耦合比。