一种垂直MOS晶体管的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种垂直MOS晶体管的制备方法，包括以下步骤：步骤S22：在沟槽的侧壁上形成侧墙，并以侧墙为掩模对沟槽的底壁进行离子注入；步骤S23：在沟槽的底壁形成第一绝缘膜层，并去除所述侧墙；步骤S24：在沟槽的内壁上形成第二绝缘膜层。本发明通过增加步骤S22和步骤S23，来增加沟槽底壁上的绝缘层的厚度，也就是增加了第一绝缘膜层的厚度，还提高垂直MOS晶体管的击穿电压，以避免在沟槽的底角处发生介电层击穿，还可以降低垂直MOS晶体管的寄生电容，从而提高了器件的响应速度。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直MOS晶体管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551244A
申请号 ：
CN202210239392.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘冲邹永金陈宏
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210239392.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/423 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220311
申请日 : 20220311
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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