一种垂直有机晶体管的制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种垂直有机晶体管的制备方法，所述的方法利用表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底制备垂直有机晶体管，具体步骤如下：使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版淀积源极金属，旋涂双极性有机物D‑A型有机物DPPT‑TT，设置DPPT‑TT溶液的浓度为10mg/ml，设置旋涂仪的参数先以500rpm的转速匀胶5s，再以1500rpm转速匀胶30s，DPPT‑TT薄膜的厚度为50 nm，继续使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版来淀积漏极金属。本发明通过控制旋涂仪旋转的速度来控制沟道的长度。本发明结构不要借助光刻机即可制造出nm级别的超短沟道，通过控制旋涂仪的转速可以获得nm级别的沟道长度。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直有机晶体管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597310A
申请号 ：
CN202210232053.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙华斌居富健于晓辰杨涛徐勇陈子龙于志浩吴洁
申请人 ：
南京邮电大学
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区文苑路9号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢霞
优先权 ：
CN202210232053.0
主分类号 ：
H01L51/40
IPC分类号 ：
H01L51/40 H01L51/05 H01L51/10
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
