一种薄膜晶体管的制备方法
授权
摘要
本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上形成第一透明导电层和第一金属层；对第一金属层以及第一透明导电层进行第一次刻蚀，对第一透明导电层进行刻蚀形成第一透明电极和第二透明电极；对第一金属层进行第二次刻蚀以露出第二透明电极；对第二透明电极进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子；在第一金属层和第二透明电极背离基板的一侧沉积第一绝缘层后进行退火处理。该薄膜晶体管的制备方法采用四次掩膜工艺和氧离子注入及退火处理工艺，有效降低了第二透明电极电阻和应力，消除了晶格缺陷，从而有效提高了透过率。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜晶体管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109285781A
申请号 ：
CN201811151499.0
公开（公告）日 ：
2019-01-29
申请日 ：
2018-09-29
授权号 ：
CN109285781B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
叶成枝李恒滨操彬彬栗芳芳安晖
申请人 ：
合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区工业园内
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭润湘
优先权 ：
CN201811151499.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20180929
申请日 : 20180929
2019-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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