一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板，涉及显示技术领域，该薄膜晶体管可以有效的将源漏层与有源层之间聚集的热量进行散发，使得源漏层与有源层搭接处的热聚集减少，从而有效提升薄膜晶体管的性能。该薄膜晶体管包括：衬底；栅极，设置在所述衬底的上方；有源层，设置在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述有源层具有沟道区以及位于所述沟道区两侧的导体化区；源漏层，设置在所述有源层远离所述栅极的一侧、且与所述导体化区的有源层直接搭接；所述有源层在所述衬底上的正投影的至少一个边界位于所述栅极在所述衬底上的正投影以内。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497230A
申请号 ：
CN202210114052.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄艺芳谢鑫丘鹤元
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
支珊
优先权 ：
CN202210114052.6
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/12 H01L21/336 H01L21/34
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20220130
申请日 : 20220130
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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