CMOS薄膜晶体管及其制备方法、显示面板
授权
摘要
本发明提供一种CMOS薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，采用高迁移薄膜晶体管器件，通过使用碳纳米管有源层和金属氧化物有源层来构建p型区以及n型区的CMOS薄膜晶体管，可降低功耗、提高增益、改善稳定性、减小器件反应时间。并且通过将栅极镶进柔性基板中，可减小CMOS薄膜晶体管的高度，防止后续制程中出现爬坡断线问题；p型区碳纳米管TFT和n型区金属氧化物TFT是在同一基板上形成的，因此n型区的薄膜晶体管以及p型区的薄膜晶体管由独立的栅极进行驱动，可改善CMOS反相器的性能。
基本信息
专利标题 ：
CMOS薄膜晶体管及其制备方法、显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111081639A
申请号 ：
CN201911232292.0
公开（公告）日 ：
2020-04-28
申请日 ：
2019-12-05
授权号 ：
CN111081639B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
谢华飞
申请人 ：
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李新干
优先权 ：
CN201911232292.0
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092 H01L51/05
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-05-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20191205
申请日 : 20191205
2020-04-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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