一种铸造单晶硅的前处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种铸造单晶硅的前处理方法，其特征在于，包括以下步骤：使用砂浆线切割设备将铸造单晶硅锭切割成铸造单晶硅片；利用酸性溶液清洗去除铸造单晶硅片表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；在硅片表面沉积一层磷硅玻璃层，并进行退火处理；将处理后的硅片用溶剂去除表面反应层和吸附的杂质。
基本信息
专利标题 ：
一种铸造单晶硅的前处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497269A
申请号 ：
CN202011146517.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许志
申请人 ：
福建新峰二维材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市台商投资区东园镇东经2路办公路
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011146517.3
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/02
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20201023
申请日 : 20201023
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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