一种铸造单晶硅的热场结构

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摘要

本实用新型公开了一种铸造单晶硅的热场结构，包括隔热笼，设置在隔热笼内部的耐高温坩埚，设置在耐高温坩埚底端的石墨底板、DSS石墨导热板，隔热条和石墨导热条，所述DSS石墨导热板的上端面为凸台结构，所述的隔热条设置在所述DSS石墨导热板四周的边缘，所述的石墨导热条设置在所述石墨底板、DSS石墨导热板和隔热条三者合围的空隙中；在所述隔热笼的底部设有至少三层石墨硬毡隔热板，所述石墨硬毡隔热板的边缘自下而上呈台阶状逐级缩减。通过采用本实用新型的热场结构，能够有利于热量的散热，从而使得长晶固液界面趋向于水平面，使得边缘硅块的位错大幅度降低，利于生产出界面平整的籽晶，有利于单晶的铸造。

基本信息

专利标题：

一种铸造单晶硅的热场结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021224940.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-29

授权号：

CN213295568U

授权日：

2021-05-28

发明人：

陈红荣孙庚昕蒋利洋居发亮胡动力张华利

申请人：

江苏协鑫硅材料科技发展有限公司

申请人地址：

江苏省徐州市经济开发区坡里路东、黄石路南

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司

代理人：

董建林

优先权：

CN202021224940.6

主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B29/06 C30B11/00