一种铸造单晶的热场结构及其方法
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摘要

本发明公开了一种铸造单晶的热场结构及其方法。它包括保温体、加热体、热开关、石墨均热平台、坩埚本体、坩埚托板、坩埚护板、水冷盘和支架,保温体置于支架的上方,保温体的底部中间设有通孔,加热体置于保温体的内部,热开关置于支架的下方且与保温体上的通孔相对应,石墨均热平台、坩埚本体、坩埚托板和坩埚护板置于加热体的内部,坩埚托板置于石墨均热平台置于坩埚本体之间,坩埚护板置于坩埚本体的外侧面上,水冷盘置于热开关的下方,热开关的底部设有升降杆。本发明的有益效果是:铸锭单晶能够达到100%的单晶率,提高单晶的晶体质量,提高晶体的可切片率,缩短晶体冷却时间,节省工艺时间,提高设备产能。

基本信息
专利标题 :
一种铸造单晶的热场结构及其方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112647122A
申请号 :
CN202011335456.5
公开(公告)日 :
2021-04-13
申请日 :
2020-11-25
授权号 :
CN112647122B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
史珺
申请人 :
浙江普智能源装备有限公司
申请人地址 :
浙江省湖州市长兴县经济开发区长兴大道580号-2
代理机构 :
杭州伍博专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
熊小芬
优先权 :
CN202011335456.5
主分类号 :
C30B11/00
IPC分类号 :
C30B11/00  C30B29/06  C30B33/02  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-05-24 :
授权
2021-04-30 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 11/00
申请日 : 20201125
2021-04-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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