一种单晶炉用热场
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉用热场，属于单晶生产设备技术领域。它包括上盖；保温筒，其连接于上盖下方，保温筒自上而下依次包括上保温筒、中保温筒和下保温筒，中保温筒和下保温筒外径相同；炉底，其连接于保温筒下方；保温筒内设有埚帮；中保温筒与埚帮间设有加热器圈；还包括中保支撑环，其设于中保温筒与下保温筒之间，中保支撑环的外侧壁直径与中保温筒外径相同，中保支撑环的内侧壁直径与加热器圈内径相同。本实用新型中保支撑环的结构设置能在单晶发生打火导致加热器脚断裂时，对掉落的加热器圈提供有效支撑，避免其掉落损坏及砸坏单晶其他热场，减少热场在事故中的损耗，增加热场的使用寿命，具有结构简单、设计合理、易于制造的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用热场
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122514136.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-19
授权号 ：
CN216738634U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
王培业吴超慧
申请人 ：
宇泽半导体（云南）有限公司
申请人地址 ：
云南省楚雄彝族自治州楚雄市鹿城镇阳光大道楚风苑南门东侧
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
王美章
优先权 ：
CN202122514136.2
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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