一种热场悬挂装置和单晶炉
授权
摘要

本实用新型提供了一种热场悬挂装置和单晶炉,涉及太阳能光伏技术领域。其中,热场悬挂装置用于悬挂单晶炉内的热场,包括托架和至少两个第一连接件,托架设置在单晶炉的底部与热场之间,托架用于承载热场,第一连接件沿托架的周向间隔设置,第一连接件的第一端与托架连接,第一连接件的第二端向远离单晶炉底部的方向延伸,使托架与单晶炉的底部间隔预设距离。通过在单晶炉的底部与热场之间设置托架,在单晶硅的生产过程中,使底部保温层距单晶炉的底部具有一定距离,避免了底部保温层与单晶炉底部的直接接触,可以避免热场内的热量通过热传导的形式快速的向外散失,降低了热场内热量的损失,节省了热力资源。

基本信息
专利标题 :
一种热场悬挂装置和单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922352102.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-24
授权号 :
CN211921742U
授权日 :
2020-11-13
发明人 :
贾祯冉瑞应金雪
申请人 :
银川隆基硅材料有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市(国家级)经济技术开发区开元东路15号
代理机构 :
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 :
莎日娜
优先权 :
CN201922352102.0
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-11-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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