一种单晶热场用的内筒
授权
摘要
本实用新型公开一种单晶热场用的内筒，包括多个弧形薄片，该多个弧形薄片依次首尾连接设置，且每两个弧形薄片之间均设有用于连接固定弧形薄片的连接件，所述连接件的两侧均设有限位固定槽，所述弧形薄片的两侧端均设置在限位固定槽内，所述多个弧形薄片以及连接件形成一个侧面封闭的圆筒；所述圆筒的顶部和底部均设有固定环，该固定环与连接件的端部通过可拆卸连接结构连接。本实用新型的单晶热场用的内筒的弧形薄片，选用片状的物料即可加工而成，能充分合理利用材料，节省原材料，并且降低制造成本，灵活性好。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶热场用的内筒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921427451.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210974930U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
唐青岗张亮唐群周绪成甄良欣孙海龙
申请人 ：
深圳市石金科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区松岗街道同富裕工业区安润路2号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗伟富
优先权 ：
CN201921427451.8
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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