一种用于直拉单晶炉热场的电极机构
专利权的终止
摘要
一种用于直拉单晶炉热场的电极机构，它包括：电极脚，该电极脚包括：与加热器连接的部位和放置电极的部位，与加热器连接的部位相对于金属电极弯曲成一弧度，在其交界处为一平台，平台上对应于电极螺丝的上方架一石英支管，支管上搭放一石英片，石英片上架放反射板。本实用新型的优点是：有效的解决了电极与加热器尺寸之间的矛盾，还避开了上述问题中抽气孔的位置，缩小了反射板与加热器之间的距离，提高了热场的保温效果，对整个热场也没有不利的影响。同时去掉了反射板支撑，通过将耐高温的绝缘材料进行简单加工使其起到支撑的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种用于直拉单晶炉热场的电极机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820109188.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-07-11
授权号 ：
CN201258367Y
授权日 ：
2009-06-17
发明人 ：
邓德辉方峰郑沉高恺梁开金
申请人 ：
北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请人地址 ：
100088北京市新街口外大街2号
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭佩兰
优先权 ：
CN200820109188.3
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2018-08-03 ：
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 15/14
申请日 : 20080711
授权公告日 : 20090617
申请日 : 20080711
授权公告日 : 20090617
2015-07-29 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101718692083
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利号 : ZL2008201091883
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研新材料股份有限公司
变更后权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市西城区新街口外大街2号
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20150709
号牌文件序号 : 101718692083
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利号 : ZL2008201091883
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研新材料股份有限公司
变更后权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市西城区新街口外大街2号
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20150709
2015-06-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101716021369
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利号 : ZL2008201091883
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研新材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市西城区新街口外大街2号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 国泰半导体材料有限公司
变更后 : 有研半导体材料有限公司
号牌文件序号 : 101716021369
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利号 : ZL2008201091883
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研新材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市西城区新街口外大街2号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 国泰半导体材料有限公司
变更后 : 有研半导体材料有限公司
2014-06-25 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101702232753
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利号 : ZL2008201091883
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 国泰半导体材料有限公司
变更后 : 国泰半导体材料有限公司
号牌文件序号 : 101702232753
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利号 : ZL2008201091883
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 国泰半导体材料有限公司
变更后 : 国泰半导体材料有限公司
2012-03-21 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101305723966
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利号 : ZL2008201091883
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京有色金属研究总院
变更后权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
变更后权利人 : 国泰半导体材料有限公司
登记生效日 : 20120210
号牌文件序号 : 101305723966
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利号 : ZL2008201091883
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京有色金属研究总院
变更后权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
变更后权利人 : 国泰半导体材料有限公司
登记生效日 : 20120210
2009-06-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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