一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统
授权
摘要
本实用新型提供一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统,包括封气环、盖板、导流筒支撑环、内保温部和外保温部,其中,内保温部设于外保温部的内部,且内保温部与外保温部的内侧面相接触;盖板设于外保温部的一端,用于对外保温部和内保温部进行封盖;导流筒支撑环设于外保温部的内部,且导流筒支撑环设于内保温部的靠近盖板的一端,用于对导流筒进行支撑;封气环设于盖板的内侧,且封气环的一端与导流筒支撑环接触,封气环的高度大于盖板的高度,对气流进行疏导。本实用新型的有益效果是减少热量的散失,加强对气流的疏导,加强热场结构的保温效果,减少热量波动,提高热场的热稳定性,减少由于气流或保温效果引起的断苞扩断现象的发生。
基本信息
专利标题 :
一种提高直拉单晶硅棒整棒率的热场结构及单晶炉系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122381536.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-09-29
授权号 :
CN216514250U
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
韩凯武志军张文霞谷守伟王林
申请人 :
内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN202122381536.0
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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